實(shí)際的電容在低于Fr的頻率呈現(xiàn)容性，而在高于Fr的頻率上則呈現(xiàn)感性，所以電容更象是一個(gè)帶阻濾波器。

　　10uF的電解電容由于其ESL較大，F(xiàn)r小于1MHz，對(duì)于50Hz這樣的低頻噪聲有較好的濾波效果，對(duì)上百兆的高頻開(kāi)關(guān)噪聲則沒(méi)有什么作用。

　　電容的ESR和ESL是由電容的結(jié)構(gòu)和所用的介質(zhì)決定的，而不是電容量。通過(guò)使用更大容量的電容并不能提高抑制高頻干擾的能力，同類(lèi)型的電容，在低于Fr的頻率下，大容量的比小容量的阻抗小，但如果頻率高于Fr，ESL決定了兩者的阻抗不會(huì)有什么區(qū)別。

　　電路板上使用過(guò)多的大容量電容對(duì)于濾除高頻干擾并沒(méi)有什么幫助，特別是使用高頻開(kāi)關(guān)電源供電時(shí)。另一個(gè)問(wèn)題是，大容量電容過(guò)多，增加了上電及熱插拔電路板時(shí)對(duì)電源的沖擊，容易引起如電源電壓下跌、電路板接插件打火、電路板內(nèi)電壓上升慢等問(wèn)題。

 

PCB設(shè)計(jì)布局時(shí)去耦電容擺放

　　對(duì)于電容的安裝，首先要提到的就是安裝距離。容值最小的電容，有最高的諧振頻率，去耦半徑最小，因此放在最靠近芯片的位置。容值稍大些的可以距離稍遠(yuǎn)，最外層放置容值最大的。但是，所有對(duì)該芯片去耦的電容都盡量靠近芯片。

　　下面就是一個(gè)擺放位置的例子。本例中的電容等級(jí)大致遵循10倍等級(jí)關(guān)系。

 

　　還有一點(diǎn)要注意，在放置時(shí)，最好均勻分布在芯片的四周，對(duì)每一個(gè)容值等級(jí)都要這樣。通常芯片在設(shè)計(jì)的時(shí)候就考慮到了電源和地引腳的排列位置，一般都是均勻分布在芯片的四個(gè)邊上的。因此，電壓擾動(dòng)在芯片的四周都存在，去耦也必須對(duì)整個(gè)芯片所在區(qū)域均勻去耦。如果把上圖中的680pF電容都放在芯片的上部，由于存在去耦半徑問(wèn)題，那么就不能對(duì)芯片下部的電壓擾動(dòng)很好的去耦。

 

電容的安裝

　　在安裝電容時(shí)，要從焊盤(pán)拉出一小段引出線，然后通過(guò)過(guò)孔和電源平面連接，接地端也是同樣。這樣流經(jīng)電容的電流回路為：電源平面-》過(guò)孔-》引出線-》焊盤(pán)-》電容-》焊盤(pán)-》引出線-》過(guò)孔-》地平面，下圖直觀的顯示了電流的回流路徑。

 

 

　　第一種方法從焊盤(pán)引出很長(zhǎng)的引出線然后連接過(guò)孔，這會(huì)引入很大的寄生電感，一定要避免這樣做，這是最糟糕的安裝方式。

　　第二種方法在焊盤(pán)的兩個(gè)端點(diǎn)緊鄰焊盤(pán)打孔，比第一種方法路面積小得多，寄生電感也較小，可以接受。

　　第三種在焊盤(pán)側(cè)面打孔，進(jìn)一步減小了回路面積，寄生電感比第二種更小，是比較好的方法。

　　第四種在焊盤(pán)兩側(cè)都打孔，和第三種方法相比，相當(dāng)于電容每一端都是通過(guò)過(guò)孔的并聯(lián)接入電源平面和地平面，比第三種寄生電感更小，只要空間允許，盡量用這種方法。

　　最后一種方法在焊盤(pán)上直接打孔，寄生電感最小，但是焊接是可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，是否使用要看加工能力和方式。

　　推薦使用第三種和第四種方法。

 

　　需要強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)：有些工程師為了節(jié)省空間，有時(shí)讓多個(gè)電容使用公共過(guò)孔，任何情況下都不要這樣做。最好想辦法優(yōu)化電容組合的設(shè)計(jì)，減少電容數(shù)量。

　　由于印制線越寬，電感越小，從焊盤(pán)到過(guò)孔的引出線盡量加寬，如果可能，盡量和焊盤(pán)寬度相同。這樣即使是0402封裝的電容，你也可以使用20mil寬的引出線。引出線和過(guò)孔安裝如圖4所示，注意圖中的各種尺寸。